消息称 SK 海力士完成中国江苏无锡 DRAM 内存晶圆厂制程升级

推荐 2026-01-20 08:49

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SmartHey1月14日消息，韩媒报道称，SK 海力士已成功完成对中国江苏无锡 DRAM 内存晶圆厂的制程升级，主要生产工艺已从 1z nm（第三代 10 纳米级）正式过渡至 1a nm（第四代 10 纳米级）。

无锡晶圆厂承担了 SK 海力士约三分之一的 DRAM 产能。目前该厂每月 18 至 19 万片 12 英寸晶圆的投片量中，约九成已采用 1a nm 工艺。由于 1a nm 制程需使用 EUV 光刻技术，而相关设备面临进口限制，因此无锡工厂生产的 1a nm 产品需运往韩国完成部分关键工序。对此，SK 海力士官方未予回应。